致真存储（北京）科技有限公司（以下简称“致真存储”）成立于2019年7月，致力于MRAM芯片的研发和制造。公司团队历经十余年，成功研发了高隧穿磁阻效应的磁隧道结，是国内首个80nm以下MRAM核心器件，其关键指标达到国际领先水平。自有国内首创8英寸磁性存储芯片专用后道工艺中试线，实现产品全流程自主可控。
